高等学校化学学报 ›› 2002, Vol. 23 ›› Issue (9): 1656.
王敬平, 李明雪, 牛景扬
WANG Jing-Ping, LI Ming-Xue, NIU Jing-Yang
摘要: 合成了三缺位杂多阴离子的苯基硅衍生物(TBA)3[α-A-PW9O34(PhSiO)3(PhSi)]·2H2O(记为1,TBA为四丁基铵阳离子),并由元素分析、红外光谱、紫外光谱对化合物进行了表征,研究了化合物的热性质.结构分析结果表明,该化合物属三方晶系,空间群R3,晶胞参数a=1.41696(16)nm,b=1.42163(16)nm,c=1.41661(16)nm,α=99.801(17)°,β=99.843(17)°,γ=99.844(17)°,V=2.7111(5)nm3.Z=1,R=0.0548.该化合物的阴离子是由1个α-A-PW9单元,通过6个W—O—Si桥键与3个PhSiO单元相连,3个PhSiO又通过Si—O—Si桥键与另1个处于帽位的PhSi相连,形成饱和闭合笼形结构.
中图分类号:
TrendMD: