高等学校化学学报 ›› 2013, Vol. 34 ›› Issue (6): 1483.doi: 10.7503/cjcu20120911
温智1,2, 阚玉和1,2, 闫文艳1,2, 丁艳艳1, 王新龙2
WEN Zhi1,2, KAN Yu-He1,2, YAN Wen-Yan1,2, DING Yan-Yan1, WANG Xin-Long2
摘要:
采用密度泛函理论方法对以四硫富瓦烯(TTF)为端基、 苯乙烯为桥的5种不同中心核(富电子核: 氮、 三聚咔唑及三聚吲哚; 缺电子核: 三嗪及三聚喹喔啉)构成的星型三支D-π-A型化合物的几何结构、 电子吸收光谱及电荷转移性质进行了研究. 结果表明, 通过改变中心核的类型, 可有效调节LUMO能级, 改变能隙的大小. 电荷差分密度及跃迁密度矩阵分析结果表明, 两支内的TTF端基与核到共轭桥链的电荷转移跃迁及少量的π→π*跃迁对高能吸收带有贡献; 缺电子核化合物的低能吸收峰主要是TTF端基到桥链和中心核的电荷转移跃迁贡献, 不同于富电子核化合物明显的TTF贡献的支内定域电荷转移跃迁. 重组能计算表明, 除化合物NST(中心核为氮)外, 其余4个化合物的空穴重组能(λh)与电子重组能(λe)相当, 中心核为三聚咔唑的化合物CST重组能相对较小.
中图分类号:
TrendMD: