李逢时,蒋凯,童鑫园,武永健,林恒伟
LI Fengshi, JIANG Kai, TONG Xinyuan, WU Yongjian, LIN Hengwei
摘要: 本文提出了一种通过硼(B)元素掺杂调控无基质复合的“纯”碳点(CDs)陷阱密度与能级和延长其余辉持续时间的方法. 研究表明,在以1,4-苯二硼酸、氢氧化钠和三聚氰胺为原料制备的三种CDs中,硼元素以B-N和B-C键的形式掺入到CDs的结构中,且掺杂浓度随硼源(1,4-苯二硼酸)的比例增加而升高. 这既增加了CDs的陷阱密度,也扩大了陷阱能级与激发三重态之间的能级差异. 此外,C=O和C=N键合的含量也随之增加,促进了三重态激子的生成和系间窜跃. 利用陷阱捕获和存储三重态激子,并使其缓慢释放,可显著延长三重态激子的弛豫时间,成功使CDs的余辉寿命从0.764秒延长至1.224秒,余辉持续时间延长了4倍. 最后,基于三种CDs余辉寿命的差异,设计了一种基于CDs余辉强度随时间动态衰减的信息存储和加密方法.
中图分类号:
TrendMD: