高等学校化学学报 ›› 2004, Vol. 25 ›› Issue (9): 1593.
庞起1,2, 郭必成2, 王建农2, 杨世和3, 王玉琦2, 葛惟昆2, 龚孟濂1,2
PANG Qi1,2, GUO Bi-Cheng2, WANG Jian-Nong2, YANG Shi-He3, WANG Yu-Qi2, GE Wei-Kun2, GONG Meng-Liang1,2
摘要: 应用反胶束法制备了稀磁半导体Cd1-xMnxS量子点.量子点的大小可通过改变ωo值(wo=[水]/[表面活性剂])来控制.高分辨透射电镜的分析结果表明,量子点呈单分散性,是几乎没有缺陷的单晶体.量子点的大小约为4.8~6nm,随wo值增大而增大.电子能谱(EDS)测定结果表明,Mn2+离子在量子点中的摩尔分数为1.5%.由电子自旋共振(ESR)分析确定一部分Mn2+离子取代Cd2+离子位置而位于晶格,另一部分Mn2+离子位于Cd1-xMnxS的表面或间隙位置.吸收光谱显示,随着量子点变小,吸收带边发生蓝移,显示明显的量子尺寸效应.光致荧光光谱分析表明,发光峰属于Mn2+的4T1-6A1跃迁,而且随着ωo和粒径的增大,发光峰从2.26,2.10,2.05eV红移到1.88eV;其发光峰偏离2.12eV,主要是由于Mn2+离子位于扭曲的四面体晶体场所致.
中图分类号:
TrendMD: