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H3PO4质子化改性的g-C3N4及其光催化产H2O2性能
郑娜, 聂丽君, 高宇航, 薛坤坤, 韩晓蓓, 马跃宇, 任丽蓉, 苏王潮, 石建惠
高等学校化学学报    2025, 46 (4): 20240485-.   DOI:10.7503/cjcu20240485
摘要   (250 HTML4 PDF(pc) (8022KB)(54)  

以三聚氰胺为前驱体, 通过热缩聚法制备了块体石墨相氮化碳g-C3N4(BCN), 并利用不同浓度的H3PO4对BCN进行水热处理, 制备了质子化改性的g-C3N4(PBCN x ), 再经二甲基亚砜(DMSO)溶剂纯化, 得到相应的PBCN x -D样品. 通过X射线衍射(XRD)、 傅里叶变换红外光谱(FTIR)、 透射电子显微镜(TEM)、 X射线光电子能谱(XPS)、 元素分析(EA)和N2气吸附-脱附测试(BET)对样品进行了表征. 结果表明, PBCN x -D不仅保留了g-C3N4的原始结构, 而且具有松散的薄层结构、 更大的比表面积及更多的氨基缺陷, 这些特性提高了其光催化活性. 瞬态光电流(TPC)、 电化学阻抗(EIS)、 光致发光光谱(PL)和紫外-可见漫反射光谱(UV-Vis DRS)分析结果表明, PBCNx-D的光生电子-空穴对复合率明显降低. BCN在质子化过程中形成了光响应较差的蜜勒胺分子, 经DMSO溶剂纯化后, PBCN x -D的光电化学性能得到进一步提升. 在光催化产H2O2实验中, PBCN10-D表现出最佳的光催化活性, 光照5 h, H2O2产率为0.502 mmol/L, 为初始BCN的7.17倍.



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Fig.3 C1s (A), N1s (B) and survey(C) XPS spectra of BCN, PBCN10 and PBCN10⁃D
正文中引用本图/表的段落
图1为所制备样品的XRD谱图, 可见, 所有样品均显示出g-C3N4的两个特征峰, 2θ=27.3°处的衍射峰对应g-C3N4(002)晶面, 为g-C3N4层与层间相互堆砌的特征峰, 而2θ=12.8°处的衍射峰对应g-C3N4(100)晶面, 为g-C3N4二维平面上三嗪环间相互连接的特征峰[20~22], 这表明PBCN x 无论是否经过DMSO溶剂处理, 均保留了g-C3N4的本征结构. 由图1(A)可见, 对于PBCN x, 在2θ=27.3°处的特征峰强度随着质子化过程中H3PO4浓度的增加而逐渐减弱, 且相较于BCN, 其峰位置向高角度方向发生明显偏移, 表明其层间距减小, π-π堆积作用增强[23,24]. 同时, 在2θ=12.8°处代表3-s-三嗪环的平面内三角氮键堆积形成的(100)晶面峰强度减弱, 甚至消失, 表明其共轭体系的共平面被破坏或发生了偏离, 对称性降低[25]. 值得注意的是, 在2θ=16.7°, 19.7°, 22.0°, 26.2°, 27.2°和29.7°处出现了新峰, 且随着H3PO4用量的增加这些衍射峰强度逐渐增强, 这是由于g-C3N4在H3PO4质子化的过程中形成了蜜勒胺分子[2627], 也表明H3PO4与g-C3N4之间发生了质子化作用[11]. 对于PBCN10-D, 由图1(B)可见, PBCN x 经过DMSO溶剂纯化处理后, 归属为蜜勒胺的特征衍射峰消失了, 说明蜜勒胺物质通过溶于DMSO可以被去除[28].
图3(A)为BCN, PBCN10和PBCN10-D的高分辨率C1s XPS光谱, 结合能在284.8 eV处的峰归属于无定形碳的C—C/C=C键, 286.4 eV处的峰归属为杂环单元边缘的C—NH x, 288.3 eV处的强峰则归属为芳环结构中sp2杂化的N—C=N键中的C原子, 说明其主要的组成结构中含有g-C3N4[36]. 相较于BCN, 在PBCN10和PBCN10-D中N—C=N的峰降至288.1 eV, 这是由于g-C3N4中3-s-三嗪环上的sp2杂化的 C—N=C上的N可能发生质子化, 质子化后破坏了π共轭体系, 致使3-s-三嗪环重新分配, N—C=N(288.1 eV)的C周围的电子云密度增大, C1s 结合能减小[14]. PBCN10中289.7 eV处的峰可归因于 C—(N)3和蜜勒胺边缘被氧化产生的C=O, 与XPS全谱图中O1s 增加相对应[37]. 293.6 eV处的峰与蜜勒胺的七嗪体系中的p电子离域相对应[38]. BCN, PBCN10和PBCN10-D的N—C=N峰面积从0.93降到0.53和0.71, 由此可以推断, H3PO4导致N—C=N结构的部分损失, 表明PBCN10和PBCN10-D被成功质子化.
由图3(B)可见, 3种光催化剂的N1s XPS谱图中均出现了3种典型的结合能峰, BCN中结合能在401.3 eV处的峰对应氨基C—NH x, 400.4 eV处的峰对应三配位的N—(C)3, 而398.7 eV处的峰对应双配位的C—N=C[36,39]. PBCN10和PBCN10-D中C—N=C(398.6 eV)和C—NH x (400.1 eV)的N1s 结合能减小, 说明N周围的电子云密度增大. 通常, 400 eV下的XPS信号被分配到氮掺杂材料场中的N—O态[40], PBCN10中400.5 eV处的峰归因于N—(C)3和蜜勒胺边缘被氧化N—O的产生和增加, 与XPS全谱图中O1s 峰强增加[图3(C)]相对应[39]. 在404.3 eV处出现了由碳氮杂环引入H+产生的峰[41], BCN, PBCN10和PBCN10-D的C—NH x 峰面积从0.04增加到0.08和0.09, 由此可以推断, H3PO4质子化导致 g-C3N4缺陷断裂部分形成C—NH x, 意味着PBCN10和PBCN10-D的成功质子化.
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