新型Raney-Ni制备过程中的XRD,SEM和EDAX研究

高等学校化学学报 ›› 2002, Vol. 23 ›› Issue (11): 2121.

新型Raney-Ni制备过程中的XRD,SEM和EDAX研究

雷浩¹, 宋真¹, 谭大力¹, 包信和¹, 慕旭宏², 宗保宁², 闵恩泽²

1. 中国科学院大连化学物理研究所催化基础国家重点实验室, 大连116023;
2. 中国石油化工总公司石油化工科学研究院, 北京100083

收稿日期:2002-01-18 出版日期:2002-11-24 发布日期:2002-11-24
通讯作者: 包信和(1959年出生),男,博士,研究员,博士生导师,从事催化和表面化学研究.E-mail:xhbao@dicp.ac.cn E-mail:xhbao@dicp.ac.cn
基金资助:
中国石油化工总公司石油化工科学研究院合作课题资助

XRD, SEM and EDAX Studies of the Preparation Process of Novel Raney-Ni Catalyst

LEI Hao¹, SONG Zhen¹, TAN Da-Li¹, BAO Xin-He¹, MU Xu-Hong², ZONG Bao-Ning², MIN En-Ze²

1. State Key Laboratory of Catalysis, Dalian Institute of Chemical Physics, Chinese Academy of Sciences, Dalian 116023, China;
2. Research Institute of Petroleum Processing, Beijing 100083, China

Received:2002-01-18 Online:2002-11-24 Published:2002-11-24

摘要/Abstract

摘要： 采用急冷法及预处理制备Raney-Ni原始合金,以XRD,SEM和EDAX手段研究了其活化过程.此方法制备的Raney-Ni原始合金与传统方法制备的相比,晶粒变小,Ni₂Al₃相增多,从而使其具有中心为大量Ni₂Al₃,外围为少量NiAl3包裹的独特结构,使活化始终以铝向表面迁移为控制步骤,活化后残留较多的Ni₂Al₃相,催化剂中活性Ni均匀分布在残留的Ni₂Al₃上.

关键词: Raney-Ni, 急冷, 活化, Ni₂ Al₃

Abstract: The preparation of the novel Raney-Ni by leaching Ni-Al starting alloys which prepared by melt-quenching and pretreatment was studied by XRD, SEM and EDAX. The existence of particles with the smaller size of crystallite and more contents of Ni₂Al₃ phase in the melt-quenched starting alloys result in the structure in which more Ni₂Al₃ phase exist in the bulk and less NiAl₃ on the top layer, thus the migration of Al component from bulk to top layer become the rate-controlling step in the leaching process, leaving more Ni₂Al₃ residue and making the active nickel disperse on the residual Ni₂Al₃ uniformly.

Key words: Raney-Ni, Melt-quenching, Activation, Ni₂Al₃

中图分类号:

O643

TrendMD:

雷浩, 宋真, 谭大力, 包信和, 慕旭宏, 宗保宁, 闵恩泽. 新型Raney-Ni制备过程中的XRD,SEM和EDAX研究. 高等学校化学学报, 2002, 23(11): 2121.

LEI Hao, SONG Zhen, TAN Da-Li, BAO Xin-He, MU Xu-Hong, ZONG Bao-Ning, MIN En-Ze . XRD, SEM and EDAX Studies of the Preparation Process of Novel Raney-Ni Catalyst. Chem. J. Chinese Universities, 2002, 23(11): 2121.

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