高等学校化学学报 ›› 2005, Vol. 26 ›› Issue (11): 1981.
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刘铭飞, 姜银珠, 高建峰, 王艳艳, 孟广耀
LIU Ming-Fei, JIANG Yin-Zhu, GAO Jian-Feng, WANG Yan-Yan, MENG Guang-Yao
摘要: 采用等离子体增强的MOCVD技术,以均匀混合的金属β-二酮鳌合物固态源Y(DPM)3和Zr(DPM)4作为前驱物,在NiO/SDC多孔阳极和多孔-αAl2O3衬底上制备了氧化钇稳定的氧化锆(YSZ)薄膜.研究了两种衬底对成膜过程和膜的结构以及微结构的影响,讨论了源区输运机制及薄膜生长动力学.XPS分析结果表明,薄膜中Y和Zr元素的摩尔比低于原始混合源中的Y和Zr元素的摩尔比,当混合源中的Y和Zr元素的摩尔比约为0.35:1时,可以获得无定形态的8%YSZ薄膜,经高温焙烧转化为单一立方相,其晶粒大小约为100nm,薄膜的生长速率约为7nm/min.
中图分类号:
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