高等学校化学学报 ›› 2022, Vol. 43 ›› Issue (6): 20220005.doi: 10.7503/cjcu20220005
龚妍熹, 王建兵(), 柴歩瑜, 韩元春, 马云飞, 贾超敏
GONG Yanxi, WANG Jianbing(), CHAI Buyu, HAN Yuanchun, MA Yunfei, JIA Chaomin
摘要:
兼具高光学质量和电化学性能的薄膜光电极难以制备, 限制了光电催化氧化技术在水处理中的的应用. 本文采用原位煅烧法制备了负载在氧化铟锡(ITO)玻璃上的石墨相氮化碳(g-C3N4)薄膜电极, 并通过掺杂K+提高其光电催化氧化性能; 对电极进行了表征, 研究了其光电催化氧化降解水中双氯芬酸钠(DCF)的效率及降解路径. 结果表明, 原位煅烧法能制备出高质量的K+/g-C3N4薄膜光电极, K+的掺杂并未明显改变电极上g-C3N4的晶型、 价态和多孔形貌, 但可以提高ITO玻璃上g-C3N4的负载量, 增强电极对可见光的响应; K+的最佳掺杂浓度为0.002 mol/L, K+/g-C3N4薄膜电极光电催化氧化降解DCF的速率常数是纯g-C3N4薄膜电极的1.86倍; 当初始pH值为4, 电压为1 V, 光源强度为0.96 W/cm2, 反应2 h后水中DCF降解率达到70%. K+/g-C3N4薄膜电极光电催化氧化过程中, 光催化氧化和电化学氧化之间存在协同作用, 两者相互增强, 并提高了反应过程中光生 空穴(h+)和羟基自由基(·OH)浓度, 在这两种活性物质作用下, 水中DCF分别被h+氧化生成咔唑衍生物、 与·OH发生加成反应生成多羟基芳香化合物, 最后开环生成小分子物质.
中图分类号:
TrendMD: