p型硅片上激光诱导局部化学沉镍

高等学校化学学报 ›› 1996, Vol. 17 ›› Issue (4): 626.

p型硅片上激光诱导局部化学沉镍

王建¹, 郁祖湛¹, 郁宁²

1. 复旦大学化学系, 上海 200433;
2. 同济大学化学系

收稿日期:1995-04-24 出版日期:1996-04-24 发布日期:1996-04-24
通讯作者: 王建,男,25岁,硕士,助教.
作者简介:王建,男,25岁,硕士,助教.
基金资助:
国家自然科学基金

Laser-Induced Selective Deposition of Nickel on p-Type Silicon

WANG Jian¹, YU Zu-Zhan¹, YU Ning²

1. Department of Chemistry, Fudan University, Shanghai 200433;
2. Department of Chemistry, Tongji University, Shsnghai

Received:1995-04-24 Online:1996-04-24 Published:1996-04-24

摘要/Abstract

摘要： 在以肼为还原剂的碱性化学镀镍溶液中实现p型单晶硅片上激光诱导微区化学沉镍,讨论了激光能量、照射时间对镍沉积层的影响。使用SEM、AES和RBS等方法对镀层的形貌、性质进行了分析。激光诱导化学沉积得到了均匀致密、结合力好的纯镍镀层。镀层与基体间具有Schottky接触特性。

关键词: 激光诱导, 化学沉积, 镍

Abstract: Selective deposition of thin nickel films on p-type silicon was obtained in a hy drazine-based conventional electroless nickel plating solution at the ambient temperature under laser irradiation.Composition and properties of the deposits were investigated using SEM,AESand RBStechniques.The deposits are in Schottky barrier contact with p-type silicon.The mechanism involved in the deposition process was also discussed.

Key words: Laser-inducing, Chemical deposition, Nickel

TrendMD:

王建, 郁祖湛, 郁宁. p型硅片上激光诱导局部化学沉镍. 高等学校化学学报, 1996, 17(4): 626.

WANG Jian, YU Zu-Zhan, YU Ning. Laser-Induced Selective Deposition of Nickel on p-Type Silicon. Chem. J. Chinese Universities, 1996, 17(4): 626.

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