碳掺杂硼氮纳米管导电性的理论研究

高等学校化学学报 ›› 2005, Vol. 26 ›› Issue (2): 304.

碳掺杂硼氮纳米管导电性的理论研究

赵景祥, 戴柏青, 张桂玲

哈尔滨师范大学化学系, 哈尔滨 150080

收稿日期:2004-03-09 出版日期:2005-02-10 发布日期:2005-02-10
通讯作者: 戴柏青(1938年出生),男,教授,博士生导师,从事应用量子化学研究.E-mail:bqdai03@yahoo.com.cn E-mail:bqdai03@yahoo.com.cn
基金资助:
黑龙江省自然科学基金(批准号:B0207)资助

A Theoretical Study on the Conductivity of Carbon Doped BNNT

ZHAO Jing-Xiang, DAI Bai-Qing, ZHANG Gui-Ling

Department of Chemistry, Harbin Normal University, Harbin 150080, China

Received:2004-03-09 Online:2005-02-10 Published:2005-02-10

摘要/Abstract

摘要： 根据DFT/B3LYP的计算结果,从能带、态密度和电子结构的变化,讨论了以C_C键替换B_N键的二碳和四碳掺杂的硼氮纳米管的导电性.结果表明,替换后硼氮纳米管的导电性能增强,并且可以通过控制替换的量来调节管的半导体性能

关键词: 碳掺杂硼氮纳米管, 能带, 态密度, 电子结构, DFT/B3LYP计算

Abstract: From the changes in energy band, density of state(DOS) and the electronic structure calculated by the DFT/B3LYP method, the conductivity of carbon doped boron-nitride nanotube(BNNT), which is formed by C_C bond substituting B_N bond, was discussed. The results indicate that the substitution will strength the conductivity of the tube, and its semi-conductivity might be adjusted by controlling the substitution.

Key words: Carbon doped boron-nitride nanotube(BNNT), Energy band, Density of state(DOS), Electronic structure, DFT/B3LYP calculation

中图分类号:

O641

TrendMD:

赵景祥, 戴柏青, 张桂玲. 碳掺杂硼氮纳米管导电性的理论研究. 高等学校化学学报, 2005, 26(2): 304.

ZHAO Jing-Xiang, DAI Bai-Qing, ZHANG Gui-Ling . A Theoretical Study on the Conductivity of Carbon Doped BNNT. Chem. J. Chinese Universities, 2005, 26(2): 304.

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