金刚石(111)面上乙炔合成金刚石薄膜的成核机理

高等学校化学学报 ›› 1998, Vol. 19 ›› Issue (5): 789.

金刚石(111)面上乙炔合成金刚石薄膜的成核机理

戴振文¹, 刘波², 刘靖尧², 潘守甫¹

1. 吉林大学原子与分子物理研究所, 物理系, 长春, 130023;
2. 吉林大学理论化学研究所, 长春, 130023

收稿日期:1997-03-06 出版日期:1998-05-24 发布日期:1998-05-24
通讯作者: 戴振文,男,28岁,博士,讲师.
作者简介:戴振文,男,28岁,博士,讲师.
基金资助:
国家教育委员会博士点基金;吉林大学理论和计算化学国家重点实验室资助

Kernel-forming Mechanisms for Growth of Diamond(111) Surface from Acetylene

DAI Zhen-Wen¹, LIU Bo², LIU Jing-Yao², PAN Shou-Fu¹

1. Institute of Atomic and Molecular Physics, Department of Physics, Jilin University, Changchun, 130023;
2. Institute of Theoretical Chemistry, Jilin University, Changchun, 130023

Received:1997-03-06 Online:1998-05-24 Published:1998-05-24

摘要/Abstract

摘要： 运用量子力学半经验分子轨道AMl方法计算乙炔作为生长基在金刚石(111)附氢表面上的吸附和成核过程,提出了两种可能的由乙炔合成金刚石薄膜的成核机理,探讨了其生长基作用.

关键词: 金刚石薄膜, 乙炔, 成核机理, 势垒

Abstract: The AM1 semi-empirical quantum mechanical method has been used to calculate the mechanisms for adsorbing and kernel-forming on diamond(111) hydrogenated surface by using acetylene as growth species. The heats of formation(ΔH_f) of each step in kernel-forming reaction pathway are obtained. The results show that acetylene can greatly contribute to the kernel-forming of diamond and that acetylene is the primary one of diamond growth species.

Key words: Diamond thin film, Acetylene, Kernel-forming mechanism, Potential barrier(Ed.: Q, X)

中图分类号:

O561.2

TrendMD:

戴振文, 刘波, 刘靖尧, 潘守甫. 金刚石(111)面上乙炔合成金刚石薄膜的成核机理. 高等学校化学学报, 1998, 19(5): 789.

DAI Zhen-Wen, LIU Bo, LIU Jing-Yao, PAN Shou-Fu . Kernel-forming Mechanisms for Growth of Diamond(111) Surface from Acetylene. Chem. J. Chinese Universities, 1998, 19(5): 789.

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