多孔硅的光电化学特性研究

高等学校化学学报 ›› 1997, Vol. 18 ›› Issue (4): 621.

多孔硅的光电化学特性研究

王宝辉¹, 王德军², 李铁津²

1. 大庆石油学院安全与劳动保护研究所, 安达, 151400;
2. 吉林大学化学系, 长春, 130023

收稿日期:1996-07-09 出版日期:1997-05-24 发布日期:1997-05-24
通讯作者: 王宝辉, 35岁. 博士, 副教授.
作者简介:王宝辉, 35岁. 博士, 副教授.
基金资助:
国家自然科学基金

Studies on Photoelectrochemical Properties of Porous Silicon

WANG Bao-Hui¹, WANG De-Jun², LI Tie-Jin²

1. Science & Technology ResFarch Institute of Safety Protect ionin Work, Daqing Petroleum Institute, Anda, 151400;
2. Department of Chemistry, Jilin University, Changchun, 130023

Received:1996-07-09 Online:1997-05-24 Published:1997-05-24

摘要/Abstract

摘要： 研究了多孔硅的光电化学特性和溶液中的光致电荷转移机理.由P型单晶硅制备的多孔硅具有P型半导体的光电性质,且光电流响应高于单晶硅.由于多孔硅表面态能级对光致电荷的陷阱作用,多孔硅呈现了独特的光电流响应和光致电荷转移性质.

关键词: 多孔硅, 光电流, 光电化学, 电荷转移

Abstract: The charge transfer and photoelectric properties of porous silicon were investigat-ed by photoelectrochemical techniques.The results show that the porous silicon fabricated bysingle crystalline p-Si exhibits photoelectric properties of p-type semiconductors with a high-er photocurrent than the original silicon.Due to the unique surface structure, the porous sili-con has a particular photocurrent spectrum.This is attributed to the photocharge-trappingeffect of surface states in the porous silicon.

Key words: Porous silicon, Photocurrent, Photoelectrochemistry, Charge transfer

TrendMD:

王宝辉, 王德军, 李铁津. 多孔硅的光电化学特性研究. 高等学校化学学报, 1997, 18(4): 621.

WANG Bao-Hui, WANG De-Jun, LI Tie-Jin. Studies on Photoelectrochemical Properties of Porous Silicon. Chem. J. Chinese Universities, 1997, 18(4): 621.

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