TCNQ光电压气敏特性的量子化学研究

高等学校化学学报 ›› 1991, Vol. 12 ›› Issue (8): 1110.

TCNQ光电压气敏特性的量子化学研究

郭纯孝, 王德军, 江雷

吉林大学化学系, 长春, 130023

收稿日期:1989-12-18 出版日期:1991-08-24 发布日期:1991-08-24
通讯作者: 郭纯孝

A Quantum Chemistry Study on Surface Photovoltage and Gas Sensitive Properties of TCNQ

Guo Chun-xiao, Wang De-jun, Jiang Lei

Department oS Chemistry, Jilin University, Changchun, 130023

Received:1989-12-18 Online:1991-08-24 Published:1991-08-24

摘要/Abstract

摘要： 7,7,8,8-四氰基对苯醌二甲烷(TCNQ)的CT复合物是良好的导电材料,具有许多超常的特性,我们曾用表面光电压技术(SPV)首次观察到TCNQ多晶内部既有施主基团又有受主基团,TCNQ与探针分子(CO,O₂,NO₂)作用,其光电压谱发生2类不同的变化。为从理论上阐明产生不同光电压谱的原因,本文用CNDO法研究了TCNQ的电子结构及其与探针分子的相互作用,讨论了气敏特性与机理。

关键词: 7, 7, 8, 8-四氰基对苯醌二甲烷, 光电压, CNDO法

Abstract: It is found that in the visible-ultraviolet region TCNQ has two kinds of SPYpeaks. When CO was adsorpted at the center of benzene ring in the TCNQ, p₁peak disappeares and p₂slightly decreases because the transition of π→π has been impeded. When O₂or NO₂was adsorbed at nitrogen atom of terminate group in TCNQ, p₂peak decreases or disappeares because the transition for lone pair of nitrogen atom was impeded. The calculation results of quantum chemistry indicate that p₁and p₂peak are associated with two kinds of different transitions.

Key words: 7,8,8-Tetracyanoquinodimethare (TCNQ), SPV, CNDO

TrendMD:

郭纯孝, 王德军, 江雷. TCNQ光电压气敏特性的量子化学研究. 高等学校化学学报, 1991, 12(8): 1110.

Guo Chun-xiao, Wang De-jun, Jiang Lei . A Quantum Chemistry Study on Surface Photovoltage and Gas Sensitive Properties of TCNQ. Chem. J. Chinese Universities, 1991, 12(8): 1110.

参考文献

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