高等学校化学学报 ›› 2001, Vol. 22 ›› Issue (2): 285.
王绪绪1, 赵慧霞1, 付贤智1, Frédéric LEFEBVRE2, Jean-Marie BASSET2
WANG Xu-Xu1, ZHAO Hui-Xia1, FU Xian-Zhi1, Frédéric LEFEBVRE2, Jean-Marie BASSET2
摘要: 用气体分析及IR,NMR和元素分析等方法研究了真空系统中230和280℃下四丁基锗在ZSM-5沸石表面上的接枝反应,并对所得沸石的热稳定性和吸附性质进行了表征.与作者曾报道的在硅胶及丝光沸石上的反应类似,四丁基锗也能与ZSM-5沸石表面上的硅羟基发生缩合反应,在其外表面或孔口生成组成为(≡Si—O)xGe(nC4H9)4-x(x=13)的表面有机锗化合物.在230℃接枝丁基锗基团不影响沸石的结构和表面积,仅改变它的孔口大小.在改性后的沸石上,N2的吸附性质没有改变,而不同分子尺寸的烃,如正己烷、2甲基戊烷、2,3二甲基丁烷却呈现出完全不同于起始ZSM-5沸石的择形吸附效应.
中图分类号:
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