多孔硅的制备与光伏特性研究

高等学校化学学报 ›› 1994, Vol. 15 ›› Issue (9): 1349.

多孔硅的制备与光伏特性研究

王宝辉, 王德军, 李铁津

吉林大学化学系, 长春, 130023

收稿日期:1993-12-20 修回日期:1994-03-02 出版日期:1994-09-24 发布日期:1994-09-24
通讯作者: 王德军.
作者简介:王宝辉,男,34岁,博士研究生.
基金资助:
国家自然科学基金

Fabrication and Photovoltaic Property of Porous Silicon

WANG Bao-Hui, WANG De-Jun, LI Tie-Jin

Department of Chemistry, Jilin University, Changchun, 130023

Received:1993-12-20 Revised:1994-03-02 Online:1994-09-24 Published:1994-09-24

摘要/Abstract

摘要： 采用特制的电解池在不同条件下制备了一系列多孔硅样品,通过测定其SPS发现,多孔硅的SPS特征带同单晶硅相比有明显蓝移,并且随制备条件不同,蓝移效应也不同。电解质中HF浓度和电解时间对其SPS响应有明显影响。这一现象的出现主要归因于量子线阵的生成。

关键词: 多孔硅, 表面光电压谱, 量子限域效应

Abstract: Using a special electrolytic cell, we prepared a series of porous silicons with different surface structures by anodizing n-type single crystal silicon in HFsolution.The surface photovoltaic spectroscopy(SPS)of the porous silicons which were formed under different conditlons was recorded.The results show that SPSof the porous silicon is obviously different from that of the non-etched silicon and the main peak wavelength has an evident blue shift relative to that of the non- etched silicon, The SPSdepends on the anodizing conditions which include HFconcentration and anodizing time.The shift is attributed to quantum confinement effects in tl1e silicon quantum wires formed in porous silicon.This observation supports the existence of the quantum size effect in porous silicon.

Key words: Porous silicon, SPS, Quantum confinement effect

TrendMD:

王宝辉, 王德军, 李铁津. 多孔硅的制备与光伏特性研究. 高等学校化学学报, 1994, 15(9): 1349.

WANG Bao-Hui, WANG De-Jun, LI Tie-Jin. Fabrication and Photovoltaic Property of Porous Silicon. Chem. J. Chinese Universities, 1994, 15(9): 1349.

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