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氢氟酸体系锰杂质络合机制: 基于DFT的配位结构与反应路径解析
田阳, 郭其景, 杨华春, 刘海霞, 薛峰峰, 易浩, 宋少先
高等学校化学学报    2025, 46 (12): 20250189-.   DOI:10.7503/cjcu20250189
摘要   (241 HTML4 PDF(pc) (8395KB)(285)  

针对电子级氢氟酸中痕量杂质反应机理不明晰的问题, 以氟锰酸盐类金属络合物为研究对象, 通过 密度泛函理论(DFT)计算, 研究了氢氟酸体系中痕量杂质Mn与其它金属杂质离子(以Na+, Ca2+, Al3+为典 型的一、 二、 三价杂质离子)的反应路径, 结合静电荷分布、 差分电荷密度及结合能计算等手段, 揭示了反应产物(AlMnF8, CaMnF6, NaMnF6)的稳定性及其与氢氟酸(HF)分离的潜力. 结果表明, Al3+与Mn反应生成的AlMnF8具有最低的体系总能量(-30.878 eV), 结构最稳定; 对结合能的分析进一步证实, AlMnF8与HF的结合能绝对 值(0.488 eV)低于NaMnF6(0.758 eV)和CaMnF6(0.798 eV), 表明其在HF溶液中更易通过物理分离方式脱除. 为电子级氢氟酸中痕量锰络合物的高效去除提供了理论依据.



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Fig.8 Structures(A—C) and electrostatic potentials(D—F) of AlMnF6(α)(A, D), AlMnF6(β)(B, E) and AlMnF8(C, F)
正文中引用本图/表的段落
在Al3+反应体系中, Al3+与MnF4在反应过程中可生成两种不同结构的AlMnF6α型和β型)中间产物[图7(A)], 而在与MnF6的反应中[图7(B)], 仅可生成AlMnF6α)结构. 虽然两种AlMnF6αβ)在结构上存在差异, 但二者均可进一步与F2结合生成高配位终产物AlMnF8[图7(C)]. 详细的结构分析表明, AlMnF6α)具有沿Al—F—Mn—F平面的上下对称性, 其中MnF4单元呈三维构型, F—Mn—F键 角较大(约115°), 键长略长(0.1772 nm)[图8(A)]; 而AlMnF6β)的MnF4部分呈平面构型, 键角较 小(99°), Mn—F键长为0.1753 nm[图8(B)], 结构稳定性略优于α型. 当进一步与F2配位形成AlMnF8后[图8(C)], Mn原子达到六配位饱和状态, Al—F和Mn—F键长普遍缩短, 键能更大, 结构稳定性显著增强. 静电势分析显示, AlMnF6α)中静电势分布相对均衡, 正电荷集中在Mn和Al周围[图8(D)], 而F原子区域静电势较低; 而在AlMnF6β)中, Mn原子周围存在明显的电势极值点[图8(E)], 表现出更强的电荷富集性, 有利于其进一步与F2结合. 最终产物AlMnF8中, 由于F2的加入, 显著降低了MnF4部分的局部电势, 使整个结构达到更均衡的电荷分布, 从而大幅提高了结构稳定性[图8(F)].
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