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氢氟酸体系锰杂质络合机制: 基于DFT的配位结构与反应路径解析
田阳, 郭其景, 杨华春, 刘海霞, 薛峰峰, 易浩, 宋少先
高等学校化学学报    2025, 46 (12): 20250189-.   DOI:10.7503/cjcu20250189
摘要   (241 HTML4 PDF(pc) (8395KB)(285)  

针对电子级氢氟酸中痕量杂质反应机理不明晰的问题, 以氟锰酸盐类金属络合物为研究对象, 通过 密度泛函理论(DFT)计算, 研究了氢氟酸体系中痕量杂质Mn与其它金属杂质离子(以Na+, Ca2+, Al3+为典 型的一、 二、 三价杂质离子)的反应路径, 结合静电荷分布、 差分电荷密度及结合能计算等手段, 揭示了反应产物(AlMnF8, CaMnF6, NaMnF6)的稳定性及其与氢氟酸(HF)分离的潜力. 结果表明, Al3+与Mn反应生成的AlMnF8具有最低的体系总能量(-30.878 eV), 结构最稳定; 对结合能的分析进一步证实, AlMnF8与HF的结合能绝对 值(0.488 eV)低于NaMnF6(0.758 eV)和CaMnF6(0.798 eV), 表明其在HF溶液中更易通过物理分离方式脱除. 为电子级氢氟酸中痕量锰络合物的高效去除提供了理论依据.



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Fig.2 Structures(A—C) and electrostatic potentials(A′—C′) of the basic complexes of planar MnF4(A, A′), tetrahedral MnF4(B, B′) and MnF6(C, C′)
Note: in electrostatic potential maps, red regions indicate positive charge enrichment and high electrostatic potential; blue regions indicate negative charge enrichment, high electron density, and low electrostatic potential.
正文中引用本图/表的段落
在初始反应中, Mn首先与F2生成MnF2, 随后与过量F2进一步结合, 形成中间产物MnF3-F[图1(A)和(B)]. 由于MnF3-F中游离氟原子的空间取向不同, 生成的MnF4呈现出平面型和四面体型两种异构体. 平面型MnF4具有典型的D4h 对称性, Mn—F键长约为0.1775 nm, F—Mn—F键角为90°[图2(A)]. 其平面结构中, 锰原子位于分子平面中心[图2(A′)], 静电势较高, 可与其它物质继续反应. 在四面体型MnF4中, Mn—F键长约为0.1748 nm, F—Mn—F键角接近理想四面体结构的109°, 4个氟原子分布于四面体的4个顶点[图2(B)]. 其静电势分布图显 示, 静电势较高的区域(Mn周围)被电势较低的区域(F原子)包裹, 整体呈现出外层电势较低的特 征[图2(B′)]. 对比这两种结构发现, 平面型MnF4的键能较弱, 且中心电势高, 具有较强的反应活性, 易与F2进一步结合; 而四面体型MnF4的结构更加稳定, 键能更强, 外层电势较低, 对带正电的金属离子具有一定的吸引作用.
根据结构特性, 平面型MnF4可继续与特定位置的F2反应生成正八面体结构的MnF6[图2(C)], 该结构中Mn—F键长相较平面型MnF4略有增加, 约为0.1787 nm, 但键角基本保持不变. 静电势分析表明, MnF6结构电势内高外低, 外层电负性强, 可与杂质金属离子发生反应[图2(C′)].
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