铁氰酸钴膜电极的制备及特性

高等学校化学学报 ›› 1991, Vol. 12 ›› Issue (2): 243.

铁氰酸钴膜电极的制备及特性

王光清, 高志强, 赵藻藩

武汉大学化学系, 430072

收稿日期:1989-07-08 出版日期:1991-02-24 发布日期:1991-02-24
通讯作者: 赵藻藩

Preparation and Behaviour of Cobalt Hexacyanoferrate Film Electrode

Wang Guang-qing, Gao Zhi-qiang, Zhao Zao-fan

Deportment of Chemistry, Wuhan University, Wuhan, 430072

Received:1989-07-08 Online:1991-02-24 Published:1991-02-24

摘要/Abstract

摘要： 首次用电化学方法在玻碳基体上制成铁氰酸钻修饰膜电极(CHCF/GC).该电极非常稳定,可经受-1.0～0.9V(vsSCE)连续万次以上的电位扫描.讨论了CHCF膜电极的电荷传递过程,研究了影响CHCF膜电极伏安特性的各种因素和对Fe³⁺/Fe²⁺电对的催化作用。

关键词: 铁氰酸钻, 修饰电极, 伏安法

Abstract: The very stable cobalt hexacyanoferrate film electrodes (CHCF/GC) were prepared, which can undergo successively over 10000 cycles of potential sweep between -1. 0 V and + 0. 9 V(vs SCE). Various factors which affect the voltammetry of CHCF film electrodes and the charge transport process of the electrodes are discussed. The size of the hydrated cations, the concentration of electrolyte and the swelling property of the film in the solvent have significant effects on voltammetry of CHCF film electrodes. Electrocatalysis of CHCF film electrode to Fe³⁺/Fe²⁺is also discussed.

Key words: Cobalt hexacyanoferrate, Modified electrode, Voltammetry

TrendMD:

王光清, 高志强, 赵藻藩. 铁氰酸钴膜电极的制备及特性. 高等学校化学学报, 1991, 12(2): 243.

Wang Guang-qing, Gao Zhi-qiang, Zhao Zao-fan . Preparation and Behaviour of Cobalt Hexacyanoferrate Film Electrode. Chem. J. Chinese Universities, 1991, 12(2): 243.

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