阳极氧化膜In2O3(Ⅰ)——膜的形成和电子性质

高等学校化学学报 ›› 1993, Vol. 14 ›› Issue (7): 978.

阳极氧化膜In₂O₃(Ⅰ)——膜的形成和电子性质

林仲华, 罗瑾, 陈海漪, 田昭武

厦门大学化学系, 物理化学研究所厦门 361005

收稿日期:1992-09-22 修回日期:1993-03-18 出版日期:1993-07-24 发布日期:1993-07-24
通讯作者: 林仲华
作者简介:第一作者:男, 52岁, 教授
基金资助:
国家自然科学基金

Anodic Oxide Film In₂O₃ (Ⅰ)——Preparation and Electronic Properties of the Film

LIN Zhong-Hua, LUO Jin, CHEN Hai-Yi, TIAN Zhao-Wu

Department of Chemistry, Institute of Physical Chemistry, Xiamen University, Xiamen, 361005

Received:1992-09-22 Revised:1993-03-18 Online:1993-07-24 Published:1993-07-24

摘要/Abstract

摘要： 利用循环伏安法和X射线光电子能谱技术(XPS)研究In在碱性溶液中的电极反应,结果表明通过阳极氧化可在In电极表面形成In₂O₃膜.探讨能获得较高光电转换量子效率的In₂O₃膜的电化学制备方法,并利用Mott-Schottky图、光电流谱和电反射光谱的测量测定膜的半导电性质.

关键词: 铟电极, 氧化铟膜, 光电化学

Abstract: The electrode reactions of indium in alkaline solution have been studied by using cyclic voltammetry and XPStechnique.The results show that the In₂O₃ film can be obtained by means of the anodic oxidation.The preparation methods were optimized in order to form an In₂O₃ film with high quantum efficiencies for the photoelectrochemical oxygen evolution.The semiconducting properties of the In₂O₃ anodic film and the thermally oxidized In₂O₃ anodic film were investigated through Mott-Schottky plots, photocurrent response and spectra, and electroreflectance spectra.The anodic film possesses the two kinds of donor and the indirect fundamental optical transition (E_g=2.88 eV) which becomes direct (E_g=3.68 eV) after thermally oxidation of the film.

Key words: Indium electrode, Indium oxide film, Photoelectrochemistry

TrendMD:

林仲华, 罗瑾, 陈海漪, 田昭武. 阳极氧化膜In₂O₃(Ⅰ)——膜的形成和电子性质. 高等学校化学学报, 1993, 14(7): 978.

LIN Zhong-Hua, LUO Jin, CHEN Hai-Yi, TIAN Zhao-Wu. Anodic Oxide Film In₂O₃ (Ⅰ)——Preparation and Electronic Properties of the Film. Chem. J. Chinese Universities, 1993, 14(7): 978.

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阳极氧化膜In₂O₃(Ⅰ)——膜的形成和电子性质

Anodic Oxide Film In₂O₃ (Ⅰ)——Preparation and Electronic Properties of the Film

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