高等学校化学学报 ›› 2002, Vol. 23 ›› Issue (5): 927.
王新强1, 杨如森2, 杨树人1, 王金忠1, 李献杰1, 殷景志1, Ong H. C.3, 姜秀英1, 高春晓2, 杜国同1
WANG Xin-Qiang1, YANG Ru-Sen2, YANG Shu-Ren1, WANG Jin-Zhong1, LI Xian-Jie1, YIN Jing-Zhi1, Ong H. C.3, JIANG Xiu-Ying1, GAO Chun-Xiao2, DU Guo-Tong1
摘要: 利用等离子体增强MOCVD法生长出ZnO薄膜,用X射线衍射谱观察到位于2θ34.56°处(0002)的衍射峰,表明ZnO沿c方向呈柱状生长.通过荧光光谱,观察到来自于激子的高强度的近带边紫外光发射(375um).紫外发射光强度与深能级复合发射光强度比高达193,显示出材料的高质量,并通过原子力显微镜加以验证.为了实现高阻ZnO薄膜,利用高温富氧分段退火和用N2气进行掺氮两种方法生长高阻ZnO薄膜.结果表明,电阻率由0.65Ω·cm分别升高到1100Ω·cm(分段退火)和5×104Ω·cm(掺氮).进一步比较发现,掺氮的样品不仅电阻率高,而且光荧光特性好,显示出更高的薄膜质量.
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