n-GaAs(100)、Si(111)表面修饰卟啉分子的光致界面电荷转移特性的研究

高等学校化学学报 ›› 1994, Vol. 15 ›› Issue (5): 711.

n-GaAs(100)、Si(111)表面修饰卟啉分子的光致界面电荷转移特性的研究

杨继华, 张杰, 宫明宣, 王德军, 孙浩然, 曹锡章, 白玉白, 李铁津

吉林大学化学系, 长春, 130023

收稿日期:1993-07-30 修回日期:1993-12-10 出版日期:1994-05-24 发布日期:1994-05-24
通讯作者: 杨继华,男,28岁,博士研究生.
作者简介:杨继华,男,28岁,博士研究生.
基金资助:
国家自然科学基金

Studies on the Properties of Light-induced Interface Charge Transfer Between Porphyrin Molecule and Modified n-GaAs(100),n-Si(111)

YANG Ji-Hua, ZHANG Jie, GONG Ming-Xuan, WANG De-Jun, SUN Hao-Ran, CAO Xi-Zhang, BAI Yu-Bai, LI Tie-Jie

Department of Chemistry, Jilin University, Changchun, 130023

Received:1993-07-30 Revised:1993-12-10 Online:1994-05-24 Published:1994-05-24

摘要/Abstract

摘要： 利用表面光电压谱研究了四碘化四-(4-三甲胺苯基)卟啉(TTMAPPIH₂)修饰n-GaAS(100)和n-Si(111)半导体表面的光致界面电荷转移特性,结果表明,n-GaAs(100)表面修饰TTMAPPIH₂分子的光致界面电荷转移效率远比n-Si(111)表面修饰的高,并且发现在该卟啉分子的非吸收区也有明显的光致界面电荷转移现象,而与n-Si(111)间则没有这种转移特性。用电化学测量和UV光谱确定了TTMAPPIH₂相对于n-GaAs(100)、n-si(111)的能级位置关系,对TTMAPPIH₂分子与n-GaAs(100)和n-Si(111)间的不同光致界面电荷转移特性进行了解释。

关键词: 四碘化四-(4-三甲基胺苯基)卟啉, 有机分子/半导体, 表面光电压谱

Abstract: The properties of light-induced interface charge transfer between porphyrin,tetrakis-(4-trimethylaminephenyl)porphyrin tetraiodide(TTMAPPIH₂) and modified n-GaAs (100),n-Si(111) were studied by the surface photovoltage spectroscopy(SPS) method.The result suggests that the efficiency of light-induced interface charge transfer between TTMAPPIH₂ and n-G3As(100) is much higher than that between TTMAPPIH₂ and n-Si (111).The obvious light-induced charge transfer between TTMAPPIH₂ and n-GaAs(100) is also found in the no-absorption region of TTMAPPIH₂.but it is not found between TTMAPPIH₂ and n-Si(111),By using the relative energy level among TTMAPPIH₂,nGaAs(100) and n-Si(111) determined by electrochemical measurement and UV-Vis absorption spectrum,the characteristie difference of light-induced interface charge transfer between TTMAPPIH₂ and n-GaAs(100),n-Si(111) is explained satisfactorily.

Key words: Tetrakis(4-trimethylaminephenyl)porphyrin tetraiodide(TTMAPPIH₂), Organic molecule/semiconductor, Surface photovoltage spectroscopy(SPS)

TrendMD:

杨继华, 张杰, 宫明宣, 王德军, 孙浩然, 曹锡章, 白玉白, 李铁津. n-GaAs(100)、Si(111)表面修饰卟啉分子的光致界面电荷转移特性的研究. 高等学校化学学报, 1994, 15(5): 711.

YANG Ji-Hua, ZHANG Jie, GONG Ming-Xuan, WANG De-Jun, SUN Hao-Ran, CAO Xi-Zhang, BAI Yu-Bai, LI Tie-Jie. Studies on the Properties of Light-induced Interface Charge Transfer Between Porphyrin Molecule and Modified n-GaAs(100),n-Si(111). Chem. J. Chinese Universities, 1994, 15(5): 711.

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