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N缺陷g-C3N5/CdS/Ti3C2异质结光催化剂的制备及高效去除NO性能
康莎, 章柯, 卫亚静, 王传义
高等学校化学学报    2025, 46 (4): 20240488-.   DOI:10.7503/cjcu20240488
摘要   (258 HTML5 PDF(pc) (7555KB)(53)  

采用简单的溶剂热法合成了一系列具有N空位的g-C3N5/CdS/Ti3C2复合光催化剂. 通过缺陷工程和异质结的协同作用, 所设计的最佳比例g-C3N x /CdS/Ti3C2复合材料的光催化性能分别是g-C3N x 和CdS的2.7和2.4倍. 由于光吸收率的提高和界面电荷迁移的改善, 在可见光照射下, 10 min内g-C3N x /CdS/Ti3C2对流动反应器内的NO去除率达到60.21%, NO2的生成率仅为2.08%. 通过电子顺磁共振(EPR)和捕获实验分析了活性物种并推断出光生载流子的迁移途径. 此外, 通过原位漫反射傅里叶变换红外光谱(in-situ DRIFTS)进一步揭示了g-C3N x /CdS/Ti3C2体系光催化去除NO的机理. 研究结果为利用空位工程和异质结构的协同作用有效去除NO提供了新的思路和实验依据.



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Fig.10 EPR spectra of O2(A, D), 1O2(B, E), OH(C, F) of CdS(A—C) and g-C3N x (D—F)
正文中引用本图/表的段落
利用EPR进一步探讨了CdS, g-C3N x 和g-C3N x /CdS/Ti3C2-20%在光催化过程中产生的活性氧物种. 如图10(A)~(E)所示, 纯CdS在光照下产生?O2? , 1O2和?OH; g-C3N x 在光照下只能产生?O2? 和1O2, 由于其价带电位低于OH?/?OH的标准电位, 因此在光照下无法检测到?OH的EPR信号[图10(F)]; 复合材料 g-C3N x /CdS/Ti3C2-20%在光催化过程中也只能产生?O2?和1O2[图9(D)和(E)], 不能产生?OH[图9(F)], 与捕获实验的结果一致.
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