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N缺陷g-C3N5/CdS/Ti3C2异质结光催化剂的制备及高效去除NO性能
康莎, 章柯, 卫亚静, 王传义
高等学校化学学报    2025, 46 (4): 20240488-.   DOI:10.7503/cjcu20240488
摘要   (258 HTML5 PDF(pc) (7555KB)(53)  

采用简单的溶剂热法合成了一系列具有N空位的g-C3N5/CdS/Ti3C2复合光催化剂. 通过缺陷工程和异质结的协同作用, 所设计的最佳比例g-C3N x /CdS/Ti3C2复合材料的光催化性能分别是g-C3N x 和CdS的2.7和2.4倍. 由于光吸收率的提高和界面电荷迁移的改善, 在可见光照射下, 10 min内g-C3N x /CdS/Ti3C2对流动反应器内的NO去除率达到60.21%, NO2的生成率仅为2.08%. 通过电子顺磁共振(EPR)和捕获实验分析了活性物种并推断出光生载流子的迁移途径. 此外, 通过原位漫反射傅里叶变换红外光谱(in-situ DRIFTS)进一步揭示了g-C3N x /CdS/Ti3C2体系光催化去除NO的机理. 研究结果为利用空位工程和异质结构的协同作用有效去除NO提供了新的思路和实验依据.



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Fig.9 EPR spectra(A) and O2⁃TPD plots of different samples(B), and capture experiment results(C), EPR spectra of O2 (D), 1O2(E), OH(F) of g⁃C3N x /CdS/Ti3C2⁃20%
正文中引用本图/表的段落
通过EPR验证所制备材料的氮空位. 由图9(A)可见, CdS和g-C3N x /CdS/Ti3C2-20%的EPR信号较弱, 而g-C3N xg=2.003时出现了较强的信号, 这是因为g-C3N x 有较高的氮空位浓度, 表明其氮空位周围捕获的电子更为集中. 通过氧的程序升温脱附(O2-TPD)实验研究了光催化剂表面对O2的吸附和 解吸. 研究表明, 位于低温区(100~200 ℃)的氧解吸峰对应物理吸附, 而位于中温区(200~500 ℃)的氧解吸峰则对应化学吸附[28]. 如图9(B)所示, 所有催化剂在低温区均表现出物理吸附氧的特性, 其中, g-C3N x /CdS/Ti3C2-20%的物理解吸峰面积明显大于g-C3N x, CdS和Ti3C2, 表明g-C3N x /CdS/Ti3C2-20%对O2的物理吸附能力较强. CdS的O2-TPD曲线在360 ℃处出现了一个强峰, 与硫空位的化学氧吸附对应[29]. 与其它单一催化材料相比, 复合催化剂对氧的化学吸附作用较弱.
为了确定光催化过程中产生的活性物种, 在g-C3N x /CdS/Ti3C2-20%对NO的光催化反应中进行了自由基淬灭实验. 将不同的捕获剂(1 mmol)和光催化剂(50 mg)均匀混合在无水乙醇(10 mL)中, 然后在60 °C下烘干以形成均匀的薄膜. 使用AA, TBA, K2Cr2O7和KI作为淬灭剂, 分别用于捕获?O2? , ?OH, e?和h+. 如图9(C)所示, 4种捕获剂对光催化去除NO表现出不同的抑制能力. 抑制作用最明显的是 AA和KI, 其次是K2Cr2O7和TBA, 表明h+和?O2?在NO的光催化转化过程中起主要作用, 而?OH基本不起作用.
利用EPR进一步探讨了CdS, g-C3N x 和g-C3N x /CdS/Ti3C2-20%在光催化过程中产生的活性氧物种. 如图10(A)~(E)所示, 纯CdS在光照下产生?O2? , 1O2和?OH; g-C3N x 在光照下只能产生?O2? 和1O2, 由于其价带电位低于OH?/?OH的标准电位, 因此在光照下无法检测到?OH的EPR信号[图10(F)]; 复合材料 g-C3N x /CdS/Ti3C2-20%在光催化过程中也只能产生?O2?和1O2[图9(D)和(E)], 不能产生?OH[图9(F)], 与捕获实验的结果一致.
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