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N缺陷g-C3N5/CdS/Ti3C2异质结光催化剂的制备及高效去除NO性能
康莎, 章柯, 卫亚静, 王传义
高等学校化学学报    2025, 46 (4): 20240488-.   DOI:10.7503/cjcu20240488
摘要   (258 HTML5 PDF(pc) (7555KB)(53)  

采用简单的溶剂热法合成了一系列具有N空位的g-C3N5/CdS/Ti3C2复合光催化剂. 通过缺陷工程和异质结的协同作用, 所设计的最佳比例g-C3N x /CdS/Ti3C2复合材料的光催化性能分别是g-C3N x 和CdS的2.7和2.4倍. 由于光吸收率的提高和界面电荷迁移的改善, 在可见光照射下, 10 min内g-C3N x /CdS/Ti3C2对流动反应器内的NO去除率达到60.21%, NO2的生成率仅为2.08%. 通过电子顺磁共振(EPR)和捕获实验分析了活性物种并推断出光生载流子的迁移途径. 此外, 通过原位漫反射傅里叶变换红外光谱(in-situ DRIFTS)进一步揭示了g-C3N x /CdS/Ti3C2体系光催化去除NO的机理. 研究结果为利用空位工程和异质结构的协同作用有效去除NO提供了新的思路和实验依据.



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Fig.4 XRD patterns of the synthesized catalysts
正文中引用本图/表的段落
通过XRD谱分析了所制备样品的晶体结构. 图4中Ti3C2在2θ=8.5°, 18.8°和60.7°处的衍射峰 分别对应Ti3C2的(002), (004)和(110)晶面[7]; g-C3N x 在2θ=27.3°处的强衍射峰对应于g-C3N5的(002) 晶面[17]; CdS在2θ=26.5°, 44.1°和52.2°处的衍射峰分别对应于(111), (220)和(311)晶面[17]. 在g-C3N x /CdS/Ti3C2-20%样品的XRD谱图中出现了3种物质的衍射峰, 表明g-C3N x /CdS/Ti3C2-20%已成功合成.
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