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锂离子电池二维T-BN/T-graphene异质结阳极材料性能的理论研究
高国翔, 熊鑫, 刘春生, 叶小娟
高等学校化学学报    2024, 45 (12): 20240371-.   DOI:10.7503/cjcu20240371
摘要   (294 HTML12 PDF(pc) (6210KB)(61)  

通过基于密度泛函理论的第一性原理计算, 研究了由二维T-BN和T-graphene组成的异质结(T-BN/ T-graphene)作为锂离子电池(LIBs)阳极材料的综合性能. 计算结果表明, T-BN/T-graphene异质结阳极材料展示了较低的扩散势垒(0.30~0.61 eV)、 较大的理论容量(678.5 mA∙h/g)、 适当的平均开路电压(1.06 V)和较小的晶格常数变化(0.86%/0.44%). 与单层T-BN和单层T-graphene相比, T-BN/T-graphene异质结在扩散性能方面略有改善, 最低扩散势垒降至0.30 eV, 表明其具有较快的充放电能力.



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Fig.3 Charge density difference of Li adsorbed at HBN2(A), HBN1(B) and H84(C) sites
正文中引用本图/表的段落
考虑到T-BN/T-graphene异质结的结构对称性, 以及为了更好地讨论其吸附性能, 将异质结分为 4层: (1) T-BN单层的上方、 (2) 异质结中间层并靠近T-BN单层一侧、 (3) 异质结中间层并靠近 T-graphene单层一侧和(4) T-graphene单层的下方. 如图S3(见本文支持信息)所示, 第一层共有8个可能的吸附点位, 可分为B四元环(HB1)、 N四元环(HN1)和B-N八元环(HBN1)的上方; B—B键(BB1)、 B—N键(BB-N1)和N—N键(BN1)的上方; B原子(TB1)和N原子(TN1)的上方. 第二层更靠近T-BN单层, 类似于第一层, 有8个可能的吸附点位(HB2, HN2, HBN2, BB2, BB-N2, BN2, TB2和TN2). 第三层更靠近T-graphene单层, 共有5个可能的吸附点位, 可分为C八元环(H83)和C四元环(H43)的上方; 四元环C—C键(B43)和剩余八元环C—C键(B83)的上方; C原子(T3)的上方. 第四层类似于第三层, 共有5个可能的吸附点位(H84, H44, B84, B44和T4).
式中: ρHeterojunctionρM+Heterojunction(e/nm3)分别为Li吸附前后的T-BN/T-graphene异质结的总电荷密度; ρM(e/nm3)为Li的总电荷密度. 图3(A)~(C)分别展示了Li吸附在T-BN/T-graphene异质结上的HBN2, HBN1和H84 3个吸附点位的差分电荷密度图(图中黄色部分代表电荷耗尽, 蓝色部分代表电荷积累). HBN1和H84两个吸附点位情况非常相似, 电荷耗尽区主要集中在Li正上方, 电荷积累区主要位于Li和 T-BN/T-graphene异质结之间的中间区域. HBN2点位在中间层, 电荷积累区主要位于Li和T-BN/ T-graphene异质结之间的上下区域, 耗尽区位于Li同高度的剩余区域以及T-BN/T-graphene异质结对应的上下区域. 这3个吸附点位均显示出Li与T-BN/T-graphene异质结之间有明显的电荷转移现象. 此外, 根据Hirshfeld电荷分析, 每个Li在HBN1和H84点位转移的电子分别为0.35和0.40 e. 有趣的是, 可能是由于吸附在中间层的原因, 导致每个Li在HBN2点位转移的电子最少, 仅为0.16 e.
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