高等学校化学学报 ›› 2003, Vol. 24 ›› Issue (9): 1704.
张其震1, 刘建强1, 殷晓颖1, 张静智1, 赵晓光2, 李光2, 季怡萍2
ZHANG Qi-Zhen1, LIU Jian-Qiang1, YIN Xiao-Ying1, ZHANG Jing-Zhi1, ZHAO Xiao-Guang2, LI Guang2, JI Yi-Ping2
摘要: 用发散法合成周边含36个己氧基偶氮苯介晶基元(M3)端基的新的二代树状碳硅烷液晶(D2),并用元素分析、氢谱、激光质谱、红外光谱、紫外-可见光谱、偏光显微镜,DSC和WAXD法进行表征.D2为向列相,与M3相同.D2液晶态相行为是K90N105I1l3N75K,D2熔点比M3降低2633℃,D2清亮点比M3降低315℃,D2液晶态温区比M3加宽1130℃.D2和一代树状物D1的相态由介晶基元相态决定.D2熔点比D1降低23℃.D2清亮点比D1降低1121℃,D2液晶态温区比D1减少819℃.
中图分类号:
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