高等学校化学学报 ›› 2003, Vol. 24 ›› Issue (7): 1262.
梅显秀, 马腾才
MEI Xian-Xiu, MA Teng-Cai
摘要: 采用强流脉冲离子束(High-intensitypulsedionbeam,HIPIB)烧蚀技术在Si(100)基体上沉积类金刚石(Diamond-likecarbon,DLC)薄膜,衬底温度的变化范围为298~673K.利用Raman光谱和X射线光电子谱(XPS)对DLC薄膜的化学结合状态与衬底温度之间关系进行研究.薄膜XPS的C1s谱的解谱分析得出薄膜中含有sp3C(结合能为285.5eV)和sp2C(结合能为284.7eV)成分,根据解谱结果评价薄膜中sp3C含量.根据XPS分析可知,衬底温度低于473K时,sp3C的含量大约为40%左右;随着沉积薄膜时衬底温度的提高,sp3C的含量降低,由298K时的42.5%降到673K时的8.1%,从573K开始发生sp3C向sp2C转变.Raman光谱表明,随着衬底温度的提高,Raman谱中G峰的峰位靠近石墨峰位,G峰的半峰宽降低,D峰与G峰的强度比ID/IG增大,说明薄膜中的sp3C的含量随衬底温度增加而减少.
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