高等学校化学学报 ›› 2011, Vol. 32 ›› Issue (4): 828.
袁占强, 庞山, 程轲, 刘兵, 王广君, 张兴堂, 杜祖亮
YUAN Zhan-Qiang, PANG Shan, CHENG Ke, LIU Bing, WANG Guang-Jun, ZHANG Xing-Tang, DU Zu-Liang
摘要: 利用水热法制备了金红石相的单晶TiO2纳米棒阵列, 利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、紫外可见分光光度计(UV-Vis)以及表面光电压谱仪(SPS)研究了其形貌、结构以及光电性质. 通过不同生长基底对比实验发现F掺杂SnO2导电玻璃基底和种子层对纳米棒阵列的生长起决定作用, TiO2种子层与SnO2:F基底晶格匹配, 有利于晶体外延生长, 使TiO2纳米棒阵列的取向性更强. 根据场调制表面光电压测量结果, 金红石相的TiO2与基底界面处的能带向上弯曲, 在FTO/TiO2界面存在大量界面态, 这些界面态可能成为光生载流子的复合中心. 实验结果表明引入种子层不仅有利于TiO2纳米棒的取向生长, 而且极大地减少界面态, 有望提高电荷的收集效率.
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