高等学校化学学报 ›› 2010, Vol. 31 ›› Issue (12): 2319.
王皓南1,齐殿鹏2,赵晓杰2,马任平2,于景生2,吕男2
WANG HaoNan1,QI DianPeng2,ZHAO XiaoJie2,MA RenPing2,YU JingSheng2,Lü Nan2*
摘要: 通过KOH各向异性刻蚀在硅片表面制备硅锥结构,以无电沉积的方式在硅锥表面选择性沉积了银纳米树,扫描电镜(SEM)照片清楚的显示出所制备银纳米树的根、茎、叶。用X射线衍射(XRD)对所制备的银纳米树进行分析,其峰的位置与JCPDS 卡上数据一致(JCPDS No. 420783)。以自组装局部原电池模型和扩散限制机制为基础,阐明了银纳米树的形成机理;并说明了尖端效应是实现银纳米树的选择性沉积的根本原因。所制备的银纳米树在硼氢化钠还原硝基苯胺的过程中起到了很好的催化作用。这种银纳米树结构可能在将来的自组装微型功能化设备中得到广泛应用。
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