摘要: 采用表面光电压和电场诱导表面光电压技术研究了三聚噻吩在外电场作用下的电子运动行为.结合三聚噻吩的UV光谱、极化子概念以及前线轨道理论,指认了三聚噻吩能级跃迁性质,即380nm附近的峰为带-带跃迁峰,447,465和600nm附近的峰是与单极化子有关的电子跃迁;而在770和900nm附近的峰则是与双极化子有关的电子跃迁峰.
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