高等学校化学学报 ›› 2001, Vol. 22 ›› Issue (3): 349.
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王晓光1, 闫文胜1, 钟文杰1, 张新夷1, 韦世强1,2
WANG Xiao-Guang1, YAN Wen-Sheng1, ZHONG Wen-Jie1, ZHANG Xin-Yi1, WEI Shi-Qiang1,2
摘要: 采用同步辐射EXAFS技术定量地研究化学还原法制备的Ni-B和Ni-Ce-B超细非晶态合金中Ni原子的局域环境结构随退火温度升高而产生的变化.结果表明,对于Ni-B和Ni-Ce-B超细非晶态合金初始样品:Ni-Ni最邻近配位壳层的平均键长RNi—Ni、配位数N、热无序σT、结构无序σS分别为0.275nm,11.9,0.0069nm,0.034nm;0.276nm,12.4,0.0067nm,0.035nm.Ni-B最邻近配位壳层的RNi—B,N,σT,σS分别为0.215nm,2.7,0.0055nm,0.0038nm;0.214nm,2.9,0.0058nm,0.0042nm.Ni—Ni配位的σS很大,是其σT的4~5倍,比Ni-B配位的σS大近一个数量级.在300℃退火后,Ni-B样品开始发生晶化生成晶态Ni3B,其RNi—Ni和σS分别为0.254nm和0.011nm,σS降低近2倍;而0.3%原子比的Ce掺入后使Ni-Ce-B超细非晶态合金的晶化温度升高100℃左右.在500℃退火后,Ni-B样品的结构参数与Ni箔的相近,但Ni-Ce-B样品的Ni-Ni配位的σS仍为0.0073nm,Ni-B配位的N为1.2,表明稀土元素Ce(以CeO2存在)显著增强了Ni与B的相互作用,且同时使退火晶化生成的Ni晶格结构产生畸变.
中图分类号:
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