一种新型的涂丝钙离子场效应敏感器件

高等学校化学学报 ›› 1986, Vol. 7 ›› Issue (10): 923.

一种新型的涂丝钙离子场效应敏感器件

付庭治¹, 黄德培¹, 朱春生¹, 欧惠春¹, 陆筱旖¹, 胡进², 周家蓉², 金杰³, 王金华³, 张国英⁴

1. 南京大学生物系、化学系;
2. 太仓晶体管厂;
3. 太和人民医院;
4. 太仓电视机厂

收稿日期:1985-04-02 出版日期:1986-10-24 发布日期:1986-10-24

A New Goated Wire Ca²⁺-Ion Sensitive Field-Effect Transistor

Fu Tingzhi¹, Huang Depei¹, Zhu Chunsheng¹, Ou Huichun¹, Lu Yuyi¹, Hu Jin², Zhou Jiarong², Jin Jie³, Wang Jinhua³, Zhang Guoying⁴

1. Department of Biology and Department of Chemistry, Nanjing University Nanjing;
2. Taicang Trasisters Factory, Nanjing;
3. Taihe People's Hospital;
4. Taicang Television Set Factory, Nanjing

Received:1985-04-02 Online:1986-10-24 Published:1986-10-24

摘要/Abstract

摘要： 从1970年以来,不少学者对场效应敏感器件(简称ISFET)做了研究^[1-4],本文作者利用二-(二异辛基苯基磷酸)钙为电活性物质研制成Ca²⁺-ISFET,并测定了器件的各项性能参数。

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付庭治, 黄德培, 朱春生, 欧惠春, 陆筱旖, 胡进, 周家蓉, 金杰, 王金华, 张国英. 一种新型的涂丝钙离子场效应敏感器件. 高等学校化学学报, 1986, 7(10): 923.

Fu Tingzhi, Huang Depei, Zhu Chunsheng, Ou Huichun, Lu Yuyi, Hu Jin, Zhou Jiarong, Jin Jie, Wang Jinhua, Zhang Guoying. A New Goated Wire Ca²⁺-Ion Sensitive Field-Effect Transistor. Chem. J. Chinese Universities, 1986, 7(10): 923.