高等学校化学学报 ›› 1983, Vol. 4 ›› Issue (3): 335.
吴养洁1, 陈镇东1, 张宪苹1, 张占旺2, 刘运爱2, 倪九祥3
Wu Yangjie1, Chen Zhendong1, Zhang Xianping1, Zhang Zhanwang2, Liu Yunai2, Ni Jiuxiang3
摘要: 本文研究了23种氯化芳基汞XC6H4HgCl的质谱。结果证明大多数氯化芳基汞的分子离子峰均较强,且各种氯化芳基汞生成碎片离子D([XC6H4]+)均较汞—氯键断裂生成碎片离子E([XC6H4Hg]+)容易,此结果可以看作是汞有机化合物开裂的普遍性规律。取代基的电性对于碎片离子的稳定性和丰度有明显的影响。就多数间、对位取代基而言,代表取代基对生成离子D速度的影响参数log(Z/ZH)与HammettBrown常数σ+之间有良好的线性关系。邻乙酯基苯基氯化汞与间、对位取代物比较,难于发生McLafferty重排,此与分子内配位有关。
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