高等学校化学学报 ›› 1982, Vol. 3 ›› Issue (3): 381.

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n-GaAS1-xPx的光电化学行为

徐苹, 张文保, 吴浩青   

  1. 复旦大学化学系
  • 收稿日期:1981-01-20 出版日期:1982-08-24 发布日期:1982-08-24

PHOTOELECTROCHEMICAL BEHAVIOR OF N-TYPE GaAs1-xPx

Xu Ping, Zhang Wenbao, Wu Haoqing   

  1. Department of Chemistry, Fudan University, Shanghai
  • Received:1981-01-20 Online:1982-08-24 Published:1982-08-24

摘要: 本文研完了不同含磷量x的三元半导体n-GaAs1-xPx作为光阳极的光电化学行为。测定了光电化学电池n-GaAs1-xPx|0.87MNaOH-0.87MS-0.87MNa2S|Pt在氮气氛中,当钨带灯作光源光强为35.2mW/cm2时的开路电压Voc和短路光电流密度Jsc。测得不同x光阳极的极化曲线和光电转换效率。当电池以光电流为10μA/cm2和100μA/cm2进行恒电流放电时,光电位较稳定。考察了不同x光阳极的稳定性。并作了不同含磷量x的n-GaAs1-xPx半导体电极的光谱响应,测得不同x材料的波长响应范围和直接禁带宽度。

Abstract: Studies of n-type GaAs1-xPx-based photoelectrocherriical cell using S2-/SrR2- relectrolyte under the nitrogen atmosphere are reported for values of x (0.15, 0.29, 0.34, 0.40, 0.46, 0.52, 0.59, 0.65).The open circuit photovoltages(VOC) and the short circuit photocurrent densities(JSC) were determined under an illumination intensity of 35.2mW/cm2.

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