[1]Zhang H., Zhou Z., Yang B., et al.. J. Phys. Chem. B[J], 2003, 107: 8—13
[2]Wang C., Zhang H., Xu S., et al.. J. Phys. Chem. C[J], 2009, 113: 827—833
[3]Baumle M., Stamou D., Segura J. M., et al.. Langumuir[J], 2004, 20: 3828—3831
[4]Peng Z. A., Peng X. G.. J. Am. Chem. Soc.[J], 2001, 123: 183—184
[5]Murray C. B., Norris D. J., Bawendi M. G.. J. Am. Chem. Soc.[J], 1993, 115: 8706—8715
[6]Rakhshani A. E.. Semicond. Sci. Technol.[J], 2004, 19: 543—547
[7]Cozzoli P. D., Manna L., Curri M. L., et al.. Chem. Mater.[J], 2005, 17: 1296—1306
[8]Kim D. J., Koo K. K.. Cryst. Growth. Des.[J], 2009, 9: 1153—1157
[9]Huang Y. Z., Chen L., Wu L. M.. Inorg. Chem.[J], 2008, 47: 10723—10728
[10]Wang C., Zhang H., Zhang J., et al.. J. Phys. Chem. C[J], 2008, 112: 6330—6336
[11]Wang C., Zhang H., Zhang J., et al.. J. Phys. Chem. C[J], 2007, 111: 2465—2469
[12]Shavel A., Gaponik N., Eychmuller A.. J. Phys. Chem. B[J], 2004, 108: 5905—5908
[13]Zhang Y., Gan C., Muhammad J., et al.. J. Phys. Chem. B[J], 2008, 112: 20200—20205
[14]Rakovich Y. P., Gerlach M., Donegan J. F., et al.. Phys. E[J], 2005, 26: 28—32
[15]Vinogradov V. S., Karczewski G., Kucherenko I. V., et al.. Phys. Solid State[J], 2008, 50: 159—167
[16]Dzhagan V. M., Valakh M. Y., Raevskaya A. E., et al.. Nanotechnology[J], 2008, 19: 305707
[17]Bhattacharya S. K., Kshirsagar A.. Phys. Rev.[J], 2007, 75: 035402
[18]Matxain J. M., Irigoras A., Fowler J. E., et al.. Phys. Rev. A[J], 2001, 64: 013201
[19]Bhattacharya S. K., Kshirsagar A.. Eur. Phys. J. D[J], 2008, 48: 355—364
[20]Gomez J. A., Guenzburger D., Ellis D. E., et al.. Phys. Rev.[J], 2003, 67: 115340