高等学校化学学报
STM热化学烧孔方式的信息存储——写入脉冲幅值和脉宽对信息点尺寸的影响
雷晓钧, 陈海峰, 刘忠范
STM Thermochemical Hole Burning Memory——Influence of Pulse Voltage and Duration on Hole Size
LEI Xiao-Jun, CHEN Hai-Feng, LIU Zhong-Fan 
高等学校化学学报 . 2001, (7): 1222 -1224 .