高等学校化学学报 ›› 2021, Vol. 42 ›› Issue (8): 2493.doi: 10.7503/cjcu20210212
薛晋波1(), 高国翔1,2, 申倩倩1, 刘天武1,2, 刘旭光1,2, 贾虎生1,2
XUE Jinbo1(), GAO Guoxiang1,2, SHEN Qianqian1, LIU Tianwu1,2, LIU Xuguang1,2, JIA Husheng1,2
摘要:
通过化学浴和连续离子层沉积法构筑了BiVO4/CdS和CdS/BiVO4两种S型异质结薄膜光电极. 利用扫描电子显微镜(SEM)、 X射线衍射(XRD)、 紫外-可见吸收光谱(UV-Vis)以及电化学阻抗谱(EIS)对其形貌、 结构和光电性能进行了表征, 测试了两种薄膜电极的光催化和光电催化产氢性能. 结果表明, CdS和BiVO4之间形成S型异质结, BiVO4/CdS表现出最佳的光催化产氢性能, 而CdS/BiVO4表现出最佳的光电催化产氢性能. 借助表面光电压技术探究了两种薄膜电极中S型异质结内建电场的形成过程和载流子传输的机制.
中图分类号:
TrendMD: