SiHCl<sub>3</sub>-H<sub>2</sub>气相外延生长Si单晶反应机理的理论研究

孙仁安,张旭,韩克利 

Theoretical Study of Reaction Mechanism of Silicon Single Crystal Epitaxial Growth in SiHCl₃-H₂ Gas Phase

SUN Ren-An^1,2, ZHANG Xu³, HAN Ke-Li⁴

高等学校化学学报 . 2006, (9): 1695 -1698 .