联系人简介: 仇永清, 男, 博士, 教授, 博士生导师, 主要从事应用量子化学研究. E-mail: qiuyq466@nenu.edu.cn
采用密度泛函理论(DFT)方法对卟啉-碳硼烷-硼亚甲基二吡咯(BODIPY)三元化合物的几何结构、 吸收光谱及二阶非线性光学(NLO)特性进行计算分析. 结果表明, V型化合物的静态第一超极化率( βtot)大于相应直线型化合物, 且延长共轭链可提高体系的 βtot. 分析体系的电子密度差分图得出, 化合物氧化还原态的电荷转移方式与本征态相比发生了改变, 从而使其二阶NLO性质发生明显变化. 含频第一超极化率计算结果表明, 在一定范围内频率对化合物有较小的色散效应. 因此, 通过延长二维化合物的共轭链及氧化还原反应, 可以有效调控其二阶NLO响应.
The calculations of geometric structures, electronic absorption spectra, second-order nonlinear optical(NLO) properties of porphyrin- o-carborane-boron-dipyrromethene(BODIPY) triad were carried out by density functional theory(DFT). The results show that the static first hyperpolarizability( βtot) of the V-shaped compound is larger than that of the linear-shaped compound, and the βtot values can be enhanced by extending π-conjugate bridge. The analysis of electron density difference maps can be seen that the charge transfer pattern of the oxidized/reduced species have changed, which lead to the second-order NLO properties have significantly varied. The investigation of the frequency-dependent first hyperpolarizability shown that less dispersion effect at restrictive frequency region for all of the compounds. Therefore, second-order NLO properties can be effectively modulated by extending π-conjugate bridge and oxidized/reduced reactions.
近年来, 随着光通信、 光信息处理的深入研究及广泛应用, 非线性光学(NLO)材料得到了迅速发展[1~5], 在NLO性质研究中, 材料的二阶NLO效应日益受到重视, 其相关应用也最为广泛[6, 7, 8, 9], 常应于激光组件的开发、 光学信息处理和数据存储及光电器件的制造. 常见的二阶NLO材料包括无机材料、 有机材料、 聚合物以及有机金属配合物等[10~12]. 相比无机材料, 有机材料具有较低的介电常数及更为灵活的设计特性, 受到许多理论与实验研究者的青睐[13]. 量子化学计算方法通过对分子进行合理的设计和优化、 分析分子结构与NLO性质的关系, 为NLO材料的制备提供了有力的理论依据[14, 15].
卟啉类NLO材料由于响应速度快、 灵活性好和易于修改等特性引起了人们的关注, 这类材料常应用于光电技术、 信号处理及超快光通信等方面[16, 17, 18, 19], 卟啉中高度可离域的π 电子对提高其NLO响应起到了重要作用. 硼亚甲基二吡咯(BODIPY)衍生物具有良好的光学特性和光学可调性, 在生物成像和传感探头等医学领域有重要的应用, 随着BODIPY衍生物的不断合成, 对其NLO性质的研究也有较多报道[20, 21, 22]. 碳硼烷通过顶点的C成键, 形成明显的非对称电荷分布特征及强的吸电子性, 具有刚性的笼状结构和独特成键特征以及良好的化学稳定性, 引起研究者对其NLO性质的研究[23, 24].
2017年, Berksun等[25]合成了直线型卟啉-乙炔-BODIPY(1)和V型卟啉-o-碳硼烷-BODIPY三元化合物(3), 并研究了其紫外光谱、 核磁共振谱及电化学性质等, 表明卟啉-BODIPY为典型的D-A结构, 有明显的电荷转移. 目前, 对卟啉类[26]、 BODIPY类[27]和碳硼烷类[28]化合物均有相关NLO性质的计算, 但卟啉-碳硼烷-BODIPY三元化合物二阶NLO性质未见报道, 本文在化合物3的基础上设计了直线型卟啉-p-碳硼烷-BODIPY异构体2, 并通过延长化合物3中共轭π 桥设计了化合物4(图1). 采用密度泛函理论(DFT)方法对这些化合物及其氧化还原态的几何结构、 自然键轨道(NBO)电荷、 吸收光谱和二阶NLO性质等进行计算分析, 讨论了碳硼烷、 体系构型、 共轭π 桥及氧化还原过程对其二阶NLO性质的影响, 为设计合成新型NLO材料提供了一定的理论指导.
采用B3LYP方法对所有化合物几何构型进行优化并进行频率计算, 所有化合物均无虚频, 表明得到了稳定几何构型. 采用与优化几何构型相同的方法计算化合物的NBO电荷, 采用ω B97XD和M06-2X 2种方法结合解析导数法计算化合物的第一超极化率. 所有计算中, 对非金属原子采用6-31G* 极化基组, 对金属原子Zn采用LANL2DZ有效核势基组.
在均匀的电场中, 分子的能量可按Taylor级数展开[29]:
式中: 各下标取笛卡尔坐标x, y和z; E(0)为无外场时分子的能量; μ i为分子偶极矩向量的分量; Fi为外电场在i方向分量; α ij为线性极化率张量; β ijk和γ ijkl分别为分子二阶和三阶非线性极化率张量. 分子第一超极化率总有效值β tot(a.u.)计算如下:
实验测量第一超极化率值是在一定频率的激光场中, 为了使理论计算结果更好地模拟实验, 采用耦合微扰密度泛函理论(CP-DFT)计算体系的含频第一超极化率[β (ω )(a.u.)]. β (ω )由下式计算:
为了进一步解释分子的二阶NLO响应, 采用含时密度泛函理论(TD-DFT) B3LYP方法模拟了分子的吸收光谱. 为了得到准确的激发能, 计算过程中考虑了溶剂化效应(PCM)[30, 31](以甲苯作为溶剂模拟实验条件). 所有计算均采用Gaussian 09W[32]程序包完成.
化合物1和3已被实验合成, 且化合物3的晶体数据已有报道[25]. 化合物14及其氧化态和还原态化合物优化的部分几何参数列于表1. 由表1可知, B3LYP方法和6-31G* /LANL2DZ基组优化得到的构型与实验值相吻合, 说明所选用的方法和基组适合本文体系.
化合物2的C1— C3和C2— C4键长比化合物1的增加约0.01 nm, 这与碳硼烷的非共轭性相关, 其它键长变化较小. 化合物2的C1— C3和C2— C4键长比化合物3的略有增加, 说明对位碳硼烷中碳原子的成键能力略小于邻位碳硼烷, 其它键长几乎无变化. 化合物4的C1— C2键长相对于化合物3增加0.0011 nm, 其它键长变化较小, 可见共轭链的增长对键长影响较小. 相对于本征态, 氧化态化合物1+4+中C1— C2, C1— C3和C2— C4键长几乎无变化, Zn— Nmean键长约增大0.0005~0.0007 nm, B— N键长约增加0.0002~0.0004 nm, 而B— F键长减小约0.0003~0.0005 nm. 还原态3-和4-的C1— C2键长分别增加0.0595和0.0566 nm, 说明还原后邻位碳硼烷发生扩张; 对于C1— C3和C2— C4键长, 在化合物1-~4-中都有所减小, 说明还原体系中C1和C2的成键能力增强. 以上分析表明, 氧化还原对化合物几何构型有一定影响, 可能会影响其二阶NLO性质.
化合物1~4选取的坐标系如图1所示. 选择可靠的方法计算第一超极化率是非常重要的, 通常认为B3LYP方法结果高估了β 值, 为验证计算结果的可靠性, 选择长程校正ω B97XD和M06-2X 2种方法对β tot进行计算, 所得结果的大小顺序均为β tot(2)< β tot(1)< β tot(3)< β tot(4)(表2). 为方便讨论, 选择ω B97XD方法计算的结果进行对比分析.
由于化合物1和2为直线型结构, 对β tot的贡献主要为β x分量, 且β x为负值, 表明体系电荷转移方向为沿x轴正向. 由于化合物3和4为V型结构, β tot值来源于β x和β y的共同贡献, β x为负值, β y为正值, 表明电荷转移方向沿x轴正向和y轴负夹角方向. 由表2可见, 化合物2的β tot值小于化合物1, 源于化合物1的乙炔桥良好的共轭性有利于电荷转移; 化合物3的β tot值是化合物2的18.6倍, 可见V型分子由于电荷转移形式的变化比直线型分子具有更大的二阶NLO系数. 延长共轭桥后, 化合物4的β tot值为化合物3的1.4倍, 因此延长共轭桥也是增大二阶NLO系数的一种方式.
为深入理解化合物结构与二阶NLO响应之间的关系, 采用TD-B3LYP, TD-CAM-B3LYP及TD-M06L等方法在6-31G* /LANL2DZ基组水平上模拟了化合物的吸收光谱, 其中B3LYP方法模拟结果与实验值[25]较吻合.
讨论了化合物的主要激发态的电子跃迁性质, 跃迁参数列于表3, fos和Egm分别表示化合物的振子强度和跃迁能. 绘制了吸收光谱图及主要激发态的电子密度差分图(EDDM)(图2), 电子密度差的计算如下:
式中: ρ ele(r)和ρ hole(r)分别表示电子和空穴分布.
由图2可知, 化合物1的吸收光谱包含一个低能吸收峰(553.6 nm)和一个高能吸收峰(420.0 nm), 结合电子密度差分图(EDDM)可知, 高能吸收峰表现为卟啉向乙炔基苯的电荷转移, 低能吸收峰表现为卟啉局部电子激发(图S1, 见本文支持信息). 化合物2包含一个位于548.7 nm处的低能吸收峰和一个位于404.9 nm处的高能吸收峰, 跃迁形式均为卟啉局部电子激发, 与化合物1相比, 化合物2电荷转移只发生在卟啉内部, 导致其较弱的二阶NLO效应. 化合物3包含一个位于408.8 nm处的主要吸收峰以及一个位于551.4 nm处的低能吸收峰, 其跃迁形式为卟啉向π 桥的电荷转移及卟啉局部电子激发. 此外, 对化合物3的吸收光谱进行了无溶剂化(真空)模拟, 发现在考虑溶剂化效应情况下的主要吸收峰与实验值更接近. 化合物4包含一个位于414.7 nm处的高能吸收峰和一个位于552.1 nm处的低能吸收峰, 跃迁形式与化合物3类似, 但是由于其π 链的增长, 导致了体系电荷转移更为明显, 相应的二阶NLO效应也越强.
氧化还原对化合物的电子结构必然产生影响, 也势必会影响其NLO性质. 计算了所有化合物的NBO电荷(表4), 并给出自旋密度图(图3). 由表4可知, 化合物1的正电荷主要分布在卟啉和乙炔桥, 负电荷分布在BODIPY, 正负电荷分布相差不大, 而化合物2, 3和4的正电荷分布在卟啉和BODIPY, 负电荷分布在碳硼烷和π 桥上. 氧化态化合物1+~4+的正电荷主要分布在卟啉和BODIPY部分, 说明氧化中心位于卟啉和BODIPY部分, 与图3所示自旋密度一致. 还原态化合物1-和2-的负电荷主要分布在卟啉和BODIPY部分, 说明还原中心位于卟啉和BODIPY; 化合物3-和4-的负电荷主要分布于碳硼烷上, 说明还原中心位于碳硼烷, 自旋密度图表明还原中心也在碳硼烷和π 桥部分.
采用ω B97XD方法计算氧化态与还原态的β tot值列于表5. 氧化还原态β tot值(除化合物3+)较本征态明显增大, 为了进一步分析氧化还原后化合物β tot值变化的原因, 图4给出化合物氧化还原态的主要激发态的EDDM图. 从图4可知, 氧化或还原后的电荷转移方向相对本征态发生了变化, 氧化态化合物1+和2+发生由π 桥向卟啉以及卟啉内部的电荷转移, 化合物3+电荷转移只发生在卟啉内部, 所以其β tot值较本征态小, 化合物4+表现为卟啉向共轭桥明显的电荷转移; 还原态化合物1-电荷由卟啉、 乙炔向BODIPY转移, 正负电荷间距离较大, 因此其β tot值明显增大, 化合物2-电荷由卟啉向碳硼烷部分转移, 化合物3-表现为明显的碳硼烷向卟啉的电荷转移, 化合物4-电荷转移从BODIPY向卟啉, 相比本征态化合物电荷转移均发生了明显的改变, 且正负电荷距离增大, 这表明氧化还原中电荷转移方式的改变是β tot值变化的主要因素. 因此利用氧化还原可以调控化合物的二阶NLO响应, 为设计优良的NLO转化材料提供了思路.
通常, 第一超极化率的实验测量均在激光场条件下进行, 所以在理论计算中考虑频率色散效应非常必要. 为了使计算结果更加接近实验, 因此, 采用CP-DFT ω B97XD方法在6-31G* /LANL2DZ水平上计算了不同频率下化合物1~4的含频第一超极化率. 计算了常见频率ω =0.0239 a.u.(1970 nm)和ω =0.0340 a.u.(1341 nm)的含频第一超极化率β (-ω ; ω , 0)和β (-2ω ; ω , ω )值, 列于表6.
从表6可见, 随着外场频率的增加第一超极化率有所增大, 表明外场频率对化合物的超极化率有一些影响. 化合物1在ω =0.0239 a.u.和ω =0.0340 a.u.时的β (-ω ; ω , 0)值分别约为静态第一超极化率的1.02倍和1.15倍, 在ω =0.0239 a.u.和ω =0.0340 a.u.时的β (-2ω ; ω , ω )值分别约为静态第一超极化率值的1.28倍和1.95倍, 表明频率对β (-2ω ; ω , ω )值的影响比β (-ω ; ω , 0)值较明显一些, 即β (-2ω ; ω , ω )对于化合物表现出较强的色散效应. 化合物3和4也有相同的变化趋势. 化合物2对频率表现出的色散效应更小, 其β (-ω ; ω , 0)值和β (-2ω ; ω , ω )值变化较小. 可见第一超极化率是体系的固有性质, 外场频率在一定范围内变化对第一超极化率影响不大.
采用DFT方法对卟啉-乙炔-BODIPY、 卟啉-碳硼烷-BODIPY三元化合物及其氧化还原态化合物的几何结构、 NBO电荷、 吸收光谱及第一超极化率进行了研究. 结果表明, 桥连基团(乙炔、 碳硼烷)对三元化合物的几何结构影响较小, 而氧化还原对几何结构有一定影响, 还原过程碳硼烷发生扩张. V型化合物明显的电荷转移导致其 β tot值大于直线型化合物, 此外, 延长共轭链可以增大化合物的β tot值, 是提高NLO响应的有效途径. 由NBO电荷分布和电子自旋密度分析得出的氧化/还原中心一致, 结合TD-DFT计算结果及EDDM图可知, 氧化还原过程化合物的电荷转移方式发生改变, 使氧化还原态化合物的β tot值明显变化. 通过计算含频第一超极化率值发现, 一定范围的外场频率对化合物的色散效应较小. 因此, 延长共轭链及氧化还原可作为调节化合物二阶NLO响应的有效手段, 为实验合成此类NLO材料提供理论依据.
支持信息见http://www.cjcu.jlu.edu.cn/CN/10.7503/cjcu20180851.
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